特性
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product |
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Dry EPD |
Wet EPD |
Plasma Monitor |
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特性 |
1. 200~850nm的宽广波长范围并具有低误差(<±0.7nm)及分辨率(<1.5nm@25um slit),适用大部分制程气体及蚀刻材料
2. 高灵敏CCD sensor(2,048pixels), 开口率(open ratio)~2%之微小讯号可侦测
3. 讯号分辨率高, 薄膜组成分析精确
4. 接收及处理时间快速(>2000specra/7ms), 与实际蚀刻深度几乎相同
5. 软件分析灵活及功能齐全: 全部都是标配, 同时适合生产及RD, 不需增加软件费用 |
1. 透由红外光量测被蚀刻薄膜(金属层)的表面反射率变化
2. 准确而稳定的控制蚀刻时间(不受腐蚀液浓度变化影响)
3. 透由软件(算法)减小喷射腐蚀液或滴液造成的noise
4. 24hr 实时监控process的变化, 并反馈主设备(需设备商提供protocol码)
5. 藉由优化蚀刻时间, 提高产量 |
1. 脉冲式plasma(1Hz~20kHz)状态监控
2. plasma 形状之时序分析
3. plasma arc(电弧)监测
4. 讯号解析率:1us
4. process良率改善 |
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搭配设备 |
Dry Echer(ICP), Asher, PECVD |
湿式蚀刻- 金属电极/ 黄光光罩, 黄光显影槽 |
Diffusion, Etcher, PECVD |
优势:
1.实时快速反应及分析制程状态,并给出优化结束时间(End Pont)
2.分析并找出制程失效因素
3.藉由优化蚀刻时间, 使产量增加/稳定
4.透由分析软件建立优化recipe,并反馈主设备(需设备商提供protocol码)