> 天虹自制EFEM能handle IGBT的薄片(<100um)、60um的Taiko wafer及+/- 5mm翘曲度的wafer。
可选配氮气填充装置将氮气填充到晶圆搬运盒, 减缓完成镀膜的金属在晶圆搬运盒氧化的速度。
可选配SMIF load port搭配SECS/GEM达到整厂天车(E84)自动化传送。
> Load lock A可选配Degas function以提升degas效率及产出。Load lock B可选配cool down function快速降
低wafer出真空的温度防止氧化或对于特殊的产业有减少破片的机率。
> ICP pre-clean (耦合式感应电浆清洁) 技术, 搭配『专利式可调式耦合线圈』, 效能流场设计及冷却
系统, 可以达到优良之蚀刻均匀度及低制程温度的电浆清洁效果。
> 全新磁场设计搭配先进磁场配置与旋转机构, 可以有效提高靶材使用效率及靶材寿命, 达到好的
薄膜厚度均匀度及薄膜阶梯覆盖均匀度。
> 腔体可因应需求做弹性配置，例如:
先进封装 EFEM+MSD(Multi slot degas) +ICP plus +PVD Ti +PVD Cu +Cool down；
碳化硅(SiC)EFEM +Degas(Single)+ICP plus +PVD TTN +PVD AlCu +PVD Ni；
氮化镓(GaN on Si)EFEM +Degas +ICP plus +PVD Ti +PVD TiN +PVD Al；
砷化镓(GaAs)EFEM +Degas(Single)+ICP plus +PVD TaN +PVD TiW +PVD Au …等等。
> 精密的晶圆传送系统，完善的软体侦测管理系统，软体远端侦测、故障排除与故障预防等功能。