ALD 原子层沉积制程设备

> 化合物半導體 (HEMT D-mode、HEMT E-mode、SiC gate oxide)

> 光電產業 (Mini LED、Micro LED)

> 生醫產業 (Passivation)

Al2O3、AlN、SiO2、SiNx、ZrO2、HfO2、TiN、TiO2

- 专利前驱物进气及showerhead系统设计以得到优良的镀膜均匀度。

- 专利气墙设计以减少particle, PM lifetime比batch type的优良。

- 专利反应腔体设计以获得优良的镀膜均匀度与降低前驱物的使用量。

- 可对于敏感基材实施低温的制程(< 100°C)

- 可选配天虹自制的Skiwar(自动取放片机)以减少particle；

可整合不同晶圆尺寸，例如: 4"/6"、6"/8"搭配cassette in/out or Load port in/out。

- 对应多样工艺：

Thermal ALD chamber (Single wafer)

PEALD C2PT chamber (Direct plasma)

PEALD NBT chamber (Direct plasma +Remote plasma)

- Max. 6 ALD 腔体

- 整合 EFEM

- 支持 SECS/GEM

欢迎洽询！

第三代半导体, 原子层沉积工艺, Thermal ALD, PEALD (等离子增强型 ALD), AlGaN passivation, Al2O3 deposition, AlN deposition, TSV 填孔, SiO2 deposition, SiNx deposition

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