Bonder 全自动键合机

> 磷化铟(InP) (光收发模组元件、射频芯片)

> 砷化镓(GaAs) (功率器件、射频芯片、VCSEL)

> 氮化镓(GaN；硅基或碳化硅基衬底) (功率器件、射频芯片)

> 碳化硅(SiC) (功率器件)

> 蓝宝石 (Sapphire) (LED)

> 3D IC 先进封装

- 新型多晶圆尺寸键合机, 能够用于InP, GaAs, SiC, GaN, LED, 3DIC应用的 2", 3", 4", 6", 8" 键合。

- 结合力传感器可调节键合力道 (最大键合力：10kN)。

- 上下键合头具有加热功能且温度可达250C

- 具备无气泡贴合表现的新型键合技术

- 可选购半自动解键合模块

结合 EFEM 系统

支持 SECS/GEM

传送手臂/对位站 x1

装载端口 x3

涂布站 x1 (w/ EBR function)

预热站 x1 (3 层; 可设定相同或不同温度)

贴合站 x2

另有手动Combo键/解键合机型与半自动键合机型

欢迎洽询！

薄片工艺, 临时键合、贴合, 氮化镓 GaN 射频、功率器件, 碳化硅 SiC 功率器件, VCSEL, 面射型激光, 无气泡贴合, 第三代半导体, 热滑移剥离, 热滑移解键

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