De-bonder 全自动解键合机

> 磷化铟(InP) (光收发模组元件、射频芯片)

> 砷化镓(GaAs) (功率器件、射频芯片、VCSEL)

> 氮化镓(GaN；硅基或碳化硅基衬底) (功率器件、射频芯片)

> 碳化硅(SiC) (功率器件)

> 蓝宝石 (Sapphire) (LED)

> 3D IC 先进封装

热滑移解键合方法

剥离性能稳定，可处理≧75um厚度的晶圆

剥离台设计适用于 2", 3", 4" 和 6" 寸晶圆

具灵活度可接受定制设计和需求

可选配自动分离模组

结合 EFEM 系统

支持 SECS/GEM

传送手臂/对位站 x1

装载端口 x4

解键合站 x2

清洁站 x2

另有半自动解键合机型; 欢迎洽询！

薄片工艺, 临时键合、贴合, 氮化镓 GaN 射频、功率器件, 碳化硅 SiC 功率器件, VCSEL, 面射型激光, 无气泡贴合, 第三代半导体, 热滑移剥离, 热滑移解键

产品资讯