特性
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product |
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Dry EPD |
Wet EPD |
Plasma Monitor |
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特性 |
1. 200~850nm的寬廣波長範圍並具有誤差(<±0.7nm)及解析度(<1.5nm@25um slit),適用大部分製程氣體及蝕刻材料
2. 高靈敏CCD sensor(2,048pixels), 開口率(open ratio)~2%之微小訊號可偵測
3. 訊號解析度高, 薄膜組成分析精確
4. 接收及處理時間快速(>2000specra/7ms), 與實際蝕刻深度幾乎相同
5. 軟體分析靈活及功能齊全: 全部都是標配, 同時適合生產及RD, 不需增加軟體費用 |
1. 透由紅外光量測被蝕刻薄膜(金屬層)的表面反射率變化
2. 準確而穩定的控制蝕刻時間(不受腐蝕液濃度變化影響)
3. 透由軟體(演算法)減小噴射腐蝕液或滴液造成的noise
4. 24hr 即時監控process的變化, 並反饋主設備(需設備商提供protocol碼)
5. 藉由優化蝕刻時間, 提高產量 |
1. 脈衝式plasma(1Hz~20kHz)狀態監控
2. plasma 形狀之時序分析
3. plasma arc(電弧)監測
4. 訊號解析率:1us
4. process良率改善 |
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搭配設備 |
Dry Echer(ICP), Asher, PECVD |
濕式蝕刻- 金屬電極/ 黃光光罩, 黃光顯影槽 |
Diffusion, Etcher, PECVD |
優勢:
1.即時快速反應及分析製程狀態,並給出優化結束時間(End Pont)
2.分析並找出製程失效因素
3.藉由優化蝕刻時間, 使產量增加/穩定
4.透由分析軟體建立優化recipe,並反饋主設備(需設備商提供protocol碼)