DRYNON-C

實現矽晶片100 nm以下線幅製程，藉由水溶性表面保濕調節原理，解決過程中微粒子附著，改善產品殘存汙染問題。

應用說明：為水溶性保濕調節劑(乾燥防止劑)，應用於矽晶圓、玻璃與各種材料的表面研磨製程中(後)，能有效解決研磨後的沾汙發生或研磨材料乾燥附著所引起的洗淨不良難題，改善表面微粒子汙染殘留情形。

適用產業：前段晶圓半導體廠/再生晶圓廠

適用製程：研磨後晶片保存/清洗製程改善/水車(運送保存)

運用實例：

1.塗布

2.水中保管

使用方法：

1. 使用純水依適當倍率稀釋並充分攪拌後使用。
2. 將晶圓等加工物浸泡溶液裡10~30秒。
3. 如果不能浸泡的情況下，將加工物全表面進行塗佈。
4. 取出晶圓後輕輕震動一下除去多餘溶液。
5. 使用終了後，使用純水沖洗即可。

產品特色&優勢

• 使用方法簡單=>只需在研磨後晶片表面塗布
• 優良的清洗性=>藉由吸著和分散微粒子達到降低微粒子殘留問題，使用完成用純水即可洗淨
• 抑制金屬汙染=>與金屬粒子結合成螯合物，降低金屬汙染
• 保持親水性=>在晶片表面形成水性保護膜，可防止微粒子再附著並抑制氧化膜形成

業界實績

半導體wafer廠：磨拋製程

備註：產品持續開發中，若有其他需要，請聯繫我們溝通決定最適合的選型。